【摘 要】
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化合物半导体缺陷的正电子寿命谱研究理论物理专业研究生 张伶俐指导教师 邓爱红正电子湮灭技术是一种研究半导体缺陷的有效方法,尤其是对空位型缺陷的研究.由于化合物半导体
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化合物半导体缺陷的正电子寿命谱研究理论物理专业研究生 张伶俐指导教师 邓爱红正电子湮灭技术是一种研究半导体缺陷的有效方法,尤其是对空位型缺陷的研究.由于化合物半导体在制备高温、高频、大功率和抗辐射IC器件中极具潜力,因此人们越来越多的利用正电子湮灭技术对化合物半导体进行缺陷研究.该文主要介绍了利用正电子寿命谱技术对化合物半导体的研究,主要包括三部分内容:1.介绍了正电子在固体中湮灭的基本理论和几种主要的正电子湮灭技术,其中着重介绍了正电子寿命谱技术.2.调试正电子寿命谱仪,标定了仪器的主要参数,并对仪器的稳定性进行测试.3.用正电子寿命谱仪对电子辐照前后的氮掺杂的n型6H-SiC进行20K~300K温度扫描测量.并建立了一个费米能级位置随温度的变化而变化的正电子捕获模型对测量结果进行解释,对捕获模型的定量描述得到了部分寿命分量对应的缺陷类型以及部分缺陷能级的位置.
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