与自旋相关的量子输运研究是当前自旋电子学领域的一个热点课题。本文在简单地回顾了介观物理学中一些重要的物理现象，如弱局域化，AB振荡，普适电导涨落等之后，对电子在几个具体模型中的自旋极化输运作了研究。首先，通过在一维量子点直链中不相邻的格点上加入不同的静磁场，利用传输矩阵和格林函数方法，我们在出射端得到了自旋流。计算表明，自旋流的极化方向受到外加磁场大小和方向的控制，我们可以在不同的能量范围内得到不同极化方向的自旋流。其次，在上面的基础上更进一步，我们研究了“T”型模型对电子自旋输运的分流特性。当选择模型的一端作为输入端而其他两端作为输出端时，在同一能量范围内，我们在两个出射端得到的自旋流的极化方向可以是相反的，这非常类似于光学中的分光计，即，这样的一个“T”型模型能作为电子的自旋分离器。接下来，我们研究了AB效应和AB环对电子自旋输运的影响。结果表明，AB环和AB效应可以很好地调节和控制自旋流的产生和输运，其可以视为是自旋输运体系的外部开关，在实验上更有利于实际操作和实现。最后，对含有自旋轨道耦合相互作用的半导体系统，我们研究了电子在隧穿该类势垒时的透射率和极化率情况。计算表明，电子对间接势垒的隧穿将导致透射率曲线中Fano线形的出现，且能在更宽的能量窗口内得到较大的自旋极化率，这有助于提高自旋输运和自旋注入的效率。这种输运特性也为设计一种可控制电子自旋的装置提供了理论基础。