由于太赫兹波具有许多优点，如较小的光子能量、优良的相干性和高透过率，在过去的二十年中，太赫兹技术吸引了各个领域的研究者。随着太赫兹技术在多个领域有着越来越多的应用，尤其在无线通信、安全检查、生物医学和环境监测等方面的巨大应用潜力，太赫兹技术的研究逐渐成为各国企业、高校和研究机构的研究重点。由于现代社会对无线通信的需求越来越迫切，太赫兹通信系统近来已成为一个研究热点。在太赫兹技术众多的重要应用中，我们主要研究了太赫兹通信系统中的核心器件之一—太赫兹调制器。　　在本文中，我们对基于高电子迁移率晶体管（HEMT）/开口谐振环(SRR)复合结构的太赫兹波调制器的工作原理及光电特性进行了分析，设计并制备了具有超高调制速率的电控HEMT/SRR太赫兹波调制器，用于实现对入射太赫兹波进行的幅度调制。该调制器由高电子迁移率晶体管阵列，金属谐振环阵列和两块用于施加电压的金属板构成。在金属板上施加电压时，调制器内HEMT的InGaAs沟道层的厚度和宽度均会发生变化，进而引起二维电子气(2DEG)密度变化，伴随着二维电子气的密度变化，该调制器能实现对入射的太赫兹波进行幅度调制。通过使用太赫兹时域光谱系统(THz-TDS)测试，该器件在0到-3 V的静态电压下对太赫兹波(0.57 THz)的调制深度达到约28％。而在高频交流电压下，该调制器会对太赫兹波呈现高速的动态响应。我们的测试结果显示，调制速率高达10.6 MHz，而最大的调制速率估计可达到11 MHz。随着对其电阻和电容的进一步优化，该太赫兹调制器的调制速度有望达到更高。　　本论文的主要研究内容为:　　(1)研究了太赫兹调制器的结构及其工作原理，设计了一种基于HEMT/SRR复合结构的电控太赫兹调制器;　　(2)以分子束外延(MBE)技术生长的GaAs-HEMT为基底，运用成熟的半导体工艺制备了源漏极、栅极和HEMT表面的金属超材料谐振环阵列，完成了基于HEMT/SRR复合结构的电控太赫兹调制器的制备;　　(3)使用太赫兹时域光谱系统(THz-TDS)，测量了器件在静态电压下对入射太赫兹波的幅度调制特性;　　(4)搭建测试电路，间接测试了该调制器在高频交变电压下对太赫兹波的动态响应特性。