半导体纳米晶易于在溶液中合成并能通过浸渍、旋涂和印刷的方法实现器件组装，是实现柔性光电器件的重要基础材料之一。但其比表面积大、表面活性强，容易团聚，因此对纳米颗粒表面进行修饰和改性非常重要。基于此，本论文主要开展了以下工作：1.利用热注入法合成带有油酸配体的PbS量子点，以短链乙醇胺替代油酸做为PbS量子点的配体。对比了由两种材料所制得的量子点薄膜与铝形成的肖特基结的J-V特性，发现接有短链乙醇胺的PbS量子点薄膜具有更优的整流特性，理想因子n为3.8，明显低于采用油酸配体的PbS量子点（n=4.6）。研究表明短链配体有利于提高PbS表面的均匀性并形成较好的肖特基接触，此外短链置换过程提高了量子点薄膜与Al电极的接触势垒高度，使肖特基结反向漏电流降低。₂.通过改变油酸与铅的比例制备出不同粒径的PbS量子点，研究了粒径大小对肖特基结J-V特性的影响，结果发现颗粒越大，器件开启电压越小，反向漏电流越大；而一定温度的热处理可以降低电阻，增加薄膜的导电性，分析认为退火可以增加晶格的有序性，增加PbS表面的PbO和PbSO₃，更能有效的钝化量子点表面的中间缺陷态，提高载流子的迁移率。并初步研究了基于PbS量子点肖特基器件的光电转换特性。3.在水相中用抗坏血酸还原二价铜制备了Cu₂O及Cu₂O/TiO₂复合材料，分析发现Cu₂O/TiO₂复合材料的吸收相对于TiO₂红移到可见区，这是由于Cu₂O的带隙较窄，可以吸收可见光。制备了基于Cu₂O及Cu₂O/TiO₂的发光器件，实验发现Cu₂O/TiO₂制备的器件的发光峰发生蓝移，且起亮点压变小，发光强度增加，这是由于TiO₂的导带比Cu₂O的低，更接近铝的费米能级，可以降低电子注入势垒；同时增加了空穴注入势垒，有效的防止载流子注入的不平衡，提高了Cu₂O中电子与空穴的复合几率，使发光强度增强。4.合成了不同比例r-巯丙基三甲基硅烷（MPS）和聚乙烯吡咯烷酮（PVP）修饰的CdS纳米颗粒，结果发现经MPS和PVP修饰后，CdS的表面缺陷降低，非辐射跃迁的几率减少，与S空位有关的发射增强，稳定性提高。