小鼠脑缺血/再灌注后nNOS介导的神经元氧化DNA损伤分布及机制

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背景:脑缺血/再灌注(brain ischemia/reperfusion)损伤是脑血管疾病的主要病理基础和临床治疗中的关键问题。缺血引起的氧化DNA损伤,常见的类型有无嘌呤/无嘧啶(apurinic/apyrimidinic,AP)位点和DNA断裂包括3-OH,3-PO4和3-PG。这种损伤在脑缺血再灌注后数分钟即已发生,并在一定的时间和范围内可以得到修复,如果损伤没有得到及时纠正,超过机体的代尝能力,将最终导致神经元细胞的死亡。   目的:本文旨在采用EXOSS法检测小鼠脑缺血/再灌注后神经元细胞内AP位点和3-PO4两种氧化DNA损伤及其在脑组织中分布;探讨nNOS与脑缺血/再灌注后神经元氧化DNA损伤的相关性。   方法:前脑缺血/再灌注模型的制作:夹闭双侧颈总动脉90min,再灌注30min,动物分为三组,A组(n=6):脑梗塞+3BR7NI+豆油;B组(n=6):脑梗塞+豆油;A、B两组分别在双侧颈总动脉夹闭术5min后,腹腔内注射nNOS抑制剂3BR7NI(30mg/Kg)+豆油和豆油;C对照组:暴露双侧颈总动脉120min后处死动物。三组分别用大肠杆菌核苷酸外切酶Ⅲ敏感位点法(EXOSS)检测AP位点和3-PO4末端型两种氧化DNA伤。所得结果采用SPSS13.0进行统计处理,组间比较用卡方检验(x2检验),P值小于0.05时差异有显著性。   结果:EXOSS法可以定位检测到氧化DNA损伤,主要分布在大脑皮质区(14.5±2.3,p<0.001)、下丘脑弓形核区(31.5±1.87,p<0.001)和海马区(16±2.2,p<0.001);特异性nNOS抑制剂3BR7NI明显减弱全脑EXOSS信号强度(P<0.001),其作用主要表现在大脑皮质区,差异有显著性,而对下丘脑的弓型核等区作用较弱。   结论:脑缺血/再灌注损伤后大脑不同区域可以观察到氧化DNA损伤,包括皮层、海马和下丘脑等,表现为EXOSS染色阳性;3BR7NI可以抑制大脑皮层区EXOSS阳性信号,推测nNOS可能介导了皮层区氧化DNA损伤。
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