2001年发现了MgB2的超导电性,其超导转变温度超过39K,接近BCS超导体的极限。MgB2具有成本低廉、结构简单、晶界间不存在弱连接、较长的相干长度(ξ～5rnm)、较高的转变温度、高的临界电流密度和高的上临界磁场等优势,这使得MgB2薄膜在超导磁体及超导电子器件方面有着广泛的应用前景。本论文介绍了MgB2的基本结构、超导性质、应用及制备方法,并重点研究了用HPCVD法在SiC和MgO衬底上制备MgB2薄膜、超薄膜：通过对用HPCVD法在SiC和MgO衬底上制备的MgB2薄膜的研究,介绍了影响薄膜沉积速率和沉积质量的因素,并给出了相应的改进方法；用HPCVD法在SiC衬底上制备了MgB2超薄膜,并详细研究了其制备过程和超薄膜的超导特性,得到SiC衬底上MgB2超薄膜的生长遵循Volmer-Weber岛状生长模式,生长方向为c轴外延。且随着膜厚的增加,超薄膜的连接性和均匀性逐渐提高,临界温度随之提高,剩余电阻率随之降低。得到的20nm厚MgB2超薄膜各方面性能都比较优异,临界电流密度Jc(OT,5K)为0.82×107A/cm2,对超导电子器件方面实际应用方面已经足够,对MgB2在超导电子器件方面的应用很有意义。另外,本论文总结了MgB2薄膜制备的方法特点及今后工作的方向。