随着物联网技术的不断发展,RFID技术已经得到了越来越广泛的应用。从我国的发展现状来看，物联网在公共安全(城市安防)、交通管理(智能交通)、能源管理(智能电网)、工业生产及物流等行业市场成熟度较高，在许多城市已经开始规模化应用。RFID作为物联网中最重要的组成部分，也得到了更加广泛的研究和进步。RFID识别主要是通过射频信号来实现无线双向通讯，其中最重要的参数就是识别距离，这就要求RFID芯片的功耗尽可能低，从而提高芯片的灵敏度以及识别距离。本文主要针对RFID的低功耗展开研究，在满足设计指标、降低成本的同时，降低RFID标签芯片的系统功耗。本文介绍了CMOS集成电路中功耗的来源和分类，并在此基础上分析了目前在集成电路设计中通常采用的低功耗设计方法。从不同的设计层次对降低系统的功耗做了尝试，包括系统中的异步设计优化和并行CRC计算方法，再到多电压系统的设计，逻辑综合阶段的时钟门控设计的功耗优化，以及物理实现阶段所采用的低功耗时钟树综合技术。在很大程度上对数字基带部分的功耗进行了优化，从而提高了芯片的识别距离，提高了其应用范围。通过对功耗仿真数据的分析可以发现，此次芯片的功耗为2.236uw，达到了设计的预期值，读和写的识别距离由之前的四米提高至七米。RFID芯片数字基带部分的面积为780*840mm2，达到了设计要求，验证了低功耗系统所采用低功耗设计方法的有效性。