ZnO原料丰富且无污染,是一种直接带隙宽禁带半导体材料,其禁带宽度为3.37 eV,激子结合能达到60 me V。ZnO薄膜具有优良的光电性能,在太阳能电池、晶体管、发光器件等方面有良好的应用前景。ZnO薄膜的制备方法主要有磁控溅射法等物理气相沉积法、化学气相沉积法以及湿化学法。其中湿化学方法所需设备简单,能够在衬底上实现大面积薄膜制备。在本论文中,我们采用溶胶-凝胶法和化学浴沉积法两种湿化学方法制备ZnO基透明导电薄膜。以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外可见分光光度计、四探针法等分析测试方法对薄膜样品的结构、形貌、化学组成以及光电性能进行表征。本论文的主要内容如下:(1)在查阅相关文献的基础上,对ZnO的基本结构和光电性质进行简单归纳,重点综述了ZnO薄膜的湿化学制备方法。(2)通过溶胶-凝胶法制备了Si掺杂ZnO(ZnO:Si)薄膜,并对其进行紫外光照射和氢气还原处理来提高ZnO:Si薄膜的电导率。ZnO:Si薄膜的最低电阻为1.6 k?/□,透光率在80%以上。(3)采用溶胶-凝胶法制备了CuO及ZnO/Cu O/ZnO薄膜,经氢气还原后获得Cu及ZnO/Cu/ZnO薄膜。Cu膜的电阻为10?/□,但ZnO/Cu/ZnO多层膜的电阻较高,为10 k?/□。这是由于Cu在ZnO中的浸润性较差,在多层膜中形成了岛状分散的Cu晶粒。(4)我们采用化学浴沉积法制备了In掺杂ZnO(ZnO:In)薄膜。通过改变溶剂组成,实现了薄膜择优取向从[002]晶向到[100]和[110]晶向的可控调节。同时系统探讨了沉积时间、前驱体浓度、水浴温度等对ZnO:In薄膜织构的影响。研究表明,ZnO:In薄膜的择优取向与其最快生长晶向一致。