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SL酒店并购RJ酒店的财务绩效案例研究
【发表日期】
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2021年01期
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氮化镓(GaN)属于Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体，且禁带宽度为3.4eV，具有小的电子亲和势(2.7-3.3eV)、高熔点(1700℃)、低功函数(4.1eV)等优异特点，因此它是一种优异的场发射阴极材料，通常可用于制造场发射器件。GaN纳米材料比GaN块体材料具有更好的物理化学性质，为了进一步提高GaN纳米结构的场发射性能，我们制备了不同条件下三维分支结构GaN纳米线，并对样品的生长机理、晶体结构及场
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