钨微/纳米线阵列的制备及其场发射性能的研究

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金属(如W、Mo、Ta等)是研究最早,也是目前使用最广的场发射阴极材料,此类材料的发射机理比较清楚,制备工艺也比较成熟。虽具备易加工、发射电流大的优点,但因功函数大,为有效增强驱动电场不得不将阴极制造成微尖阵列式结构,这要求使用技术难度大的大面积微尖制备工艺,或者制备其一维纳米材料。金属钨作为最为广泛的电子发射材料,其一维纳米结构的合成和场电子发射性能的研究成为人们广泛关注的一个焦点。由于金属钨的超高熔点和超低蒸汽压,其准一维纳米结构很难用传统制备方法获得。目前,一些制备金属钨纳米线的方法,
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