GaN作为第三代半导体的重要成员之一,由于其优越的材料特性,已经成为当下世界半导体材料与器件研究的焦点。等离子体处理技术是一种常用的半导体工艺技术,通过调节不同气体配比及功率条件可对半导体进行刻蚀、钝化、调制载流子浓度等作用。在Al GaN/GaN异质结HEMT器件中,通过F等离子体处理技术可调制沟道中2DEG浓度,已实现增强型HEMT器件应用。通过等离子体处理开发器件的新应用已经成为重要的研究方向。等离激元是载流子间相互库伦作用形成的集体振荡,也称为等离子体波。室温下Al GaN/GaN异质结中二维电子气的浓度为1×1013/cm2,其等离激元的振荡频率处在太赫兹波段。本文探索了一种基于F等离子体处理的Al GaN/GaN二维电子气等离激元太赫兹辐射源器件。本文的主要工作包括设计了一种大面积光栅耦合的,具有2DEG周期性浓度差的等离激元太赫辐射源器件。通过SF6等离子体处理技术,调制了沟道中无栅区域的2DEG浓度,构建了一个栅下与无栅区域下形成2DEG浓度差的周期性结构。对器件在11K低温下进行辐射功率及光谱测试,测试得到太赫兹辐射功率为20p W,辐射光谱中最强峰位于0.65THz。同时,对SF6等离子体处理后器件阻值出现的不稳定性进行了研究,在不同的气体氛围下对器件进行了电学测试。测试表明,器件表现出的不稳定性来源于对有机挥发气体的敏感性,具体的敏感机理需要进一步的实验研究。基于这一发现,有望将GaN材料实现可穿戴,集成式的气体传感器应用。