与锡掺杂氧化铟（ITO）相比,掺铝氧化锌（AZO）透明导电薄膜有材料无毒、材料丰富、成本低廉等优点,已经成为了目前TCO薄膜研究热点。然而低温下制备的AZO薄膜的电阻率还没有达到ITO的水平,因此降低AZO薄膜的电阻率是一个重要的研究课题。最近有学者指出掺杂H可以改变AZO薄膜的光电性质,所以本论文主要围绕提高掺氢AZO薄膜性能来进行。一、AZO薄膜沉积参数的优化。我们实验室之前没有用陶瓷靶、直流磁控溅射方法制备ZnO的研究,因此我们先不掺杂氢气,通过改变溅射功率、掺杂氧气、溅射时间、溅射压强、衬底温度来寻找最优参数。1)溅射功率对AZO薄膜性能的影响。随着溅射功率的增加（100-230W）,AZO薄膜的电阻率减小,最小为5×10^-3Ω.cm;在可见光区的透射率最大为91%;AZO薄膜的择优取向由（002）面转向（103）面;AZO薄膜的表面晶粒增大,晶界减小。2)掺杂氧气对AZO薄膜的影响。在溅射过程中通入0.2sccm氧气,AZO薄膜的电阻率由7.6×10^-3Ω.cm减小到5×10^-3Ω.cm;薄膜的透射率有轻微的增加。3)溅射时间对AZO薄膜性能的影响。随着沉积时间的增多（10-20min）,AZO薄膜的电阻率先减小后增大,溅射时间15min时,薄膜的电阻率最低为4.18×10^-3Ω.cm;薄膜在可见光区的透射率为93%;薄膜厚度变厚,薄膜的表面晶粒变大,致密性更好。4)溅射压强对AZO薄膜的影响。随着压强的增加（0.4-0.6Pa）,AZO薄膜的电阻率先减小后增大,当溅射压强0.5Pa时,薄膜的电阻率最低为5×10^-3Ω.cm;薄膜透射率为92%;薄膜表面的晶粒最致密,且缺陷较少。5)衬底温度对AZO薄膜的影响。随着衬底温度的增加（100-200℃）,AZO薄膜的电阻率减小,最低为2×10^-3Ω.cm;薄膜的表面形貌也随着衬底温度的升高而变得更致密、晶粒更大、晶界更小。二、上面最佳参数的基础上,在AZO薄膜的制备过程中掺杂氢气。主要研究氢气的流量和衬底温度对AZO薄膜性能的影响。1)氢气流量对AZO薄膜性能的影响。随着氢气流量的增加（0.4-1.2sccm）,薄膜的电阻率先减小后增大,氢气流量0.8sccm时电阻率最低为3.07×10^-3Ω.cm;薄膜在可见光区的透射率为93%以上。2)衬底温度对氢掺杂AZO薄膜性能的影响。随着衬底温度的增加（100-200℃）,掺氢AZO薄膜的电阻率先减小后增大,衬底温度175℃时电阻率为1×10^-3Ω.cm,薄膜透射率97%。3)衬底温度和氢气流量对AZO薄膜性能的影响。无论衬底温度高低,薄膜的电阻率都随着氢流量增加而先减小后增大,在氢流量5.6sccm时,电阻率最低;在氢气流量较大时,衬底温度越高,电阻率越低,但是当氢气流量少时,衬底温度175℃的电阻率小于衬底温度225℃。衬底温度为225℃,电阻率最小4.5×10-4Ω.cm,在可见光区透射率93%。