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ZnO是直接宽禁带半导体材料(禁带宽度为3.37 eV),在室温下有很高的激子束缚能(60 meV),外延生长温度低,抗辐射能力强,对衬底没有苛刻的要求而且很易成膜,在短波发光二极管、半导体激光器和紫外探测器等领域具有广阔的应用前景。在保持纤锌矿结构不变的前提下通过改变ZnO中Mg的掺入量,让Mg取代Zn的位置,形成的Zn1-xMgxO薄膜的带隙可以在3.37-4.5 eV之间变化,而且可以和ZnO形成较好的晶格匹配。通过在光电器件中建立ZnMgO/ZnO异质结结构,可以提高器件的发光效率,并能拓宽