由于欧盟对于含有危险物质的电子产品进出口的限制,无铅PTC陶瓷的研究在最近几年来成为人们研究的热点。无铅PTC陶瓷属于环境友好型材料，它可以广泛应用在电子信息产业,这也预示其在电子元器件领域将拥有着这广阔的前景。本文首先制备了BKT和BT粉体，与此同时也在不同温度下对于粉体进行烧结，并确定了BKT粉体最佳烧结温度为800℃，BT粉体烧结温度为1150℃。实验也尝试改变陶瓷制备工艺，以获得性能优良的粉体，作为后续实验的原料。其次实验研究BT-BKT二元陶瓷系统。讨论在获得较好的PTC性能的同时保证样品的低室温电阻率。实验选择添加5mol%的BKT粉体，其得到的陶瓷室温电阻率为3.5×10⁴Ω.cm，居里温度为156.8℃，升阻比为7.8×103，实验最后讨论了不同掺杂离子对于PTC陶瓷性能的影响，实验采用三价Sm³⁺和五价Nb⁵⁺进行施主掺杂，发现采用三价掺杂难以实现陶瓷的半导化，而五价Nb⁵⁺可以获得较低的室温电阻率。实验也采用了Ca²⁺离子进行等价掺杂，同时讨论了钙离子掺杂机理并确定添加Ca²⁺作为受主掺杂的最佳含量为5mol%。本论文采用固相烧结工艺制备了低室温电阻率以及高居里温度点的PTC陶瓷样片，其室温电阻率达到其室温电阻率为2.7×103Ω.cm，居里温度为156℃，升阻比为1.56×10⁴，电阻温度系数α=9.19%/℃。