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能源的紧缺和环境的严重污染迫使人们寻找一种新型的清洁、无污染并且可再生的能源。太阳能电池的出现在一定程度上满足了这种对新能源的需求。其中多晶硅在所有的电池材料中脱颖而出,占据着市场的主要地位。而多晶硅材料对斜入射的光线反射率较高的缺陷导致很大一部分能量被反射到空中,白白浪费。从而迫使人们不断改进电池工艺来最大程度地降低反射损耗。本文中提到的黑硅材料是采用SF6/O2反应离子刻蚀硅片表面而形成的,所以将该制备方法称为等离子体浸没离子注入法(PⅢ)。PⅢ技术的作用机制是SF6产生F*基团与硅反应