物质性质的第一性原理计算在过去的几十年间获得了巨大的进步，对多种体系的成功研究，使密度泛函理论成为最广泛使用的量子计算近似方法，现在在凝聚态物理中，密度泛函方法已经被公认为是一个研究电子结构，固体宏观性质的标准方法。已经发现Ⅱ-Ⅲ2-Ⅵ4这类半导体中的大多数材料具有缺陷型的黄铜矿结构，空间对称群为Ⅰ(4);其中另外一些具有缺陷型的脆硫锑铜矿结构，它们的空间对称群为Ⅰ(4)2m。由于在光电和非线性光学器件方面存在着潜在的应用前景，这类半导体得到了广泛的研究。　　本文使用基于密度泛函理论的Abinit软件，采用局域密度泛函方法对一组化合物ZnGa2X4（X=S,Se,Te)进行了计算。研究了它们的能带结构，对有缺陷的黄铜矿结构与有缺陷的脆硫锑铜矿结构这两种结构进行了计算。通过计算我们得知，ZnGa2Te4是间接带隙，而ZnGa2S4、 ZnG22Se4是直接带隙。我们发现，在有缺陷的黄铜矿结构与有缺陷的脆硫锑铜矿结构两种结构中，用局域密度泛函方法计算的带隙不同，但它们的晶格常数和键长是非常接近的。计算了ZnGa2X4（X=S,Se,Te)这类材料的体变模量，带隙压力系数和金属化压强，并分析了经验规律的适用性。我们得到了它们的带隙压力系数以及压强P与带隙宽度的关系曲线和ln（V0/V)与带隙宽度的关系曲线，以lnV作为自变量的Eg比以压强作自变量具有更好的线性关系。同时研究了William Paul提出的经验规律对缺陷的黄铜矿结构和有缺陷的脆硫锑铜矿的适用性。具有DC和DF结构的ZnGa2S4和ZnGa2Se4是符合这个规律的。希望这些结果对这类有应用前景的物质的认识提供借鉴并对正在进行的研究提供帮助。