近几年来,随着亚微米、深亚微米CMOS工艺的不断成熟,以及无线通信技术的蓬勃发展,低成本、低功耗、高集成度的CMOS射频集成电路的设计与研究引起了人们的很大关注。低噪声放大器和混频器是射频接收机的核心模块,几乎在任何一种无线通信标准的射频接收前端电路中都离不开这两个重要模块。因此,如何利用深亚微米CMOS工艺技术设计射频接收前端的低噪声放大器及混频器是摆在面前的重要任务。本文首先简要介绍了射频电子技术发展史以及各种架构的CMOS射频接收机的优缺点,着重分析了无源元件的射频特性与MOSFET的物理基础,接着对射频电路中相关的噪声理论与非线性失真进行了较系统的讨论,在此基础上对CMOS射频接收前端中的低噪声放大器与混频器进行了详细的分析和设计,得到了这两个射频电路有效的拓扑结构,其中低噪声放大器采用了一种新型的带有负反馈网络的共源共栅结构,而混频器则采用目前比较流行的双平衡的吉尔伯特结构。本接收机将应用于蓝牙通信中,所以设计的低噪声放大器工作在2.4GHz重要频段,而且混频电路采用Gilbert下混频器。使用Agilent公司的ADS软件对所设计的电路进行了仿真和验证,仿真中采用了CMOS TSMC₀.18μm工艺的器件模型,仿真结果表明,所设计的低噪声放大器及Gilbert混频器均达到射频接收电路的技术指标,可以有效地应用于射频接收前端的设计之中。本文的主要成果表现在两方面。其一,结合深亚微米的CMOS技术,在原有共源共栅结构的基础上对低噪声放大器作进一步改善,得到了性能良好的CMOS低噪声放大器电路。其二,设计了同样采用深亚微米的CMOS技术工艺并且与低噪声放大器衔接良好的双平衡Gilbert混频器。以上工作十分有利于CMOS射频电路单片集成的需要,从而具有重要的实际意义。