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本论文的计算采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法。首先,研究了S掺杂Bi F3,考虑了带电缺陷和中性两种情况,通过形成能的计算,获得S掺杂Bi F3时最稳定的结构,在此基础上分析了不同浓度S掺杂对Bi F3晶体结构、电子结构和电化学性能的影响。然后分析了Sn掺杂Bi F3时的掺杂缺陷,通过形成能的计算,确定Sn掺杂Bi F3最稳定的掺杂缺陷结构,在此基础上研究了Sn掺杂对Bi F3晶体结构、磁性、电子结构及电化学性能的影响,最后研究了Bi F3(111)表面吸附石墨烯的微观结构及相关物理机制,讨