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随着超大规模集成电路的发展,Cu代替了常用的Al成为新兴的互连线材料。也就是最新发展的所谓“铜互连工艺”。但是Cu在硅基底集成电路中的应用存在一些困难,例如铜在硅和介质层中的扩散速度较快,目前一般在薄膜和基底间镀一层阻挡层。但由于传统采用的气相沉积方法获得的扩散阻挡层工艺时间长、成本高,台阶覆盖性差、薄膜较厚,在互连线尺寸越来越小的今天,扩散阻挡层在一定程度上减小了Cu的可用空间。本文以合金化薄膜“自发形成阻挡层”为思路,利用单靶合金靶材分别在Si(100)和SiO_2基底上磁控溅射制备