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用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合( TB―LMTO)方法对Au在Si(001)表面以及Fe在Au钝化的Si(001)表面化学吸附的电子结构和性质进行了研究。在研究Au在Si(001)表面的化学吸附时,计算中所取的超级原胞模型如下:用九个Si原子层来模拟基底,在基底两边各吸附一单层的Au原子,同时包含相当于五个原子层厚度的真空层,且模型具有镜面对称性。用增加基底厚度的办法与该模型作对比,结果表明所取模型是合理的。计算并分析Au原子在不同位置的吸附能,吸附体系与清洁的Si(001)表面的层投影态密度,以及电子转移情况。结果表明, Au原子在吸附面上方的顶位吸附最稳定,Au钝化Si(001)表面可以取得明显的钝化效果。并且在界面处存在Au-Si混合层,此结论从理论上解释了单层的Au原子在Si(001)表面吸附时,Au/Si(001)的界面结构。这些结论与实验的结论一致。对Fe在Au钝化的Si(001)表面化学吸附的研究,用单层的Au原子饱和超级原胞两侧的悬挂键。所取模型包含八个Si原子层和两个Au钝化层以及一个Fe吸附层,另外还有一个相当于五个原子层厚度的真空层。为了对比,同时也对Fe在清洁的Si(001)表面的吸附情况进行了研究。其超级原胞的下表面被Au原子钝化掉。模型的厚度仍为十六层,包含八个Si原子层和一个Au钝化层以及一个Fe吸附层,另外还有一个相当于六个原子层厚度的真空层。引入Au原子钝化层可以有效地避免Fe与Si的相互混合,并且使得能够用一个较小的原胞来模拟Fe在Si(001)表面上的吸附,从而可以减小计算量。分别对Fe原子在清洁Si(001)表面和Au钝化的Si(001)表面的化学吸附进行了讨论。通过对Fe原子在不同位置的吸附能,吸附体系与清洁表面的层投影态密度以及电子转移情况进行计算。结果表明Fe原子在清洁Si(001)表面的最佳吸附位置是四度位,在Fe/Si(001)界面处存在Fe-Si混合层。Fe原子在Au-Si(001)表面吸附的稳定位置是Au表面下方的四度位,因此,在Fe/Au-Si(001)界面处有Au-Fe混合层生成。然而, Fe原子不能存在于Si表面下方,这样在界面处也就没有Fe-Si混合层形成。通过以上的讨论,可以得出单层的Au作为钝化层有效地阻止了界面处Fe-Si的相互混合,从而从理论上证明了在Au钝化的Si(001)表面上长高质量的Fe膜的可能性。取得与实验一致的结论。