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该文用自行开发的磁增强活性反应离子镀(ME-ARE)系统,在基体射频偏压和脉冲直流偏压两种条件下,在单晶硅基体上成功地合成了高纯度的立方氮化硼(c-BN)薄膜,研究了立方氮化硼膜的合成工艺、显微结构、界面结构及生长过程、首次用氮等离子体基离子注入(N-PBⅡ)方法,通过高能氮离子轰击ME-ARE沉积的立方氮化硼膜以改善膜基结合力,并研究了氮离子注入对立方氮化硼膜的界面混合、相结构、界面显微结构及膜与基体的附着力的影响;通过在硼膜中注入氮,研究使用N-PBⅡ方法合成氮化硼膜的可行性.