【摘 要】
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该文综述了C的主要性质、硅衬底上C薄膜的吸附特点及金刚研究现状,重点介绍了促进金刚石核的方法.在此基础上,采用PVD法制备了C薄膜,研究了其生长特性、结构特点及热处理性能
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该文综述了C<,60>的主要性质、硅衬底上C<,60>薄膜的吸附特点及金刚研究现状,重点介绍了促进金刚石核的方法.在此基础上,采用PVD法制备了C<,60>薄膜,研究了其生长特性、结构特点及热处理性能,采用HFCVD法在覆盖有C<,60>薄膜的硅衬底上成功淀积了金刚石薄膜,研究了其成核特点和生长形貌,讨论了C<,60>促进金刚石成核的机理.
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