脉冲光纤激光器因为拥有成本低、转化效率高、兼容性好等优势而受到人们的广泛关注。在光纤激光器中利用可饱和吸收体的强度调制能力是实现脉冲输出的重要方法。目前在光纤激光器中应用较为成熟的可饱和吸收体是半导体可饱和吸收镜。但是它有造价高、可调带宽小、易被损伤等缺点。最近几年,大量制作工艺简单、成本低廉、性能良好的低维材料因为其良好的光学强度调制能力而逐渐引起人们的关注。但是,找到一种调制能力强且工作状态稳定的低维材料可饱和吸收体仍然是一个挑战。硒代亚磷酸铁属于二维金属半导体三卤族化合物,是一种有二维层状结构的材料。其疏松的层状结构为其作为催化剂提供了可能性,并且硒代亚磷酸铁从大块状到单层状都表现出本征反铁磁性,所以也是研究二维铁磁性材料的优良选择。此外,硒代亚磷酸铁有着相对较高的电子迁移率,这使得其在光电领域有着极大的应用潜力。但是有关硒代亚磷酸铁光学特性的研究报道却很少。在本工作中我们重点从硒代亚磷酸铁可饱和吸收器件的制备,表征,非线性吸收特性测量,及对光纤激光器输出的影响这四个流程出发,结合理论和实验进行了一系列研究,主要内容如下:1.本工作第一部分对可饱和吸收器件的制备测量和作用原理进行了细致的分析。首先,介绍了低维材料的制备方法,以及各种表征的原理、测试目的及各自之间的联系。接着介绍了几种可饱和吸收器件载体的特性,同时从模拟的角度出发分析了可饱和吸收器件对于光纤激光器的作用原理及影响。最后介绍了可饱和吸收特性的测量目及方法。2.本工作第二部分通过无机盐模板法制备了硒代亚磷酸铁,并用电子透射显微镜,紫外可见吸收光谱等手段观察并证明了该样品具有较好的物理化学品质。之后通过超声法将其与丙酮溶剂混合震荡制成均匀分散液,并用光学沉积法将其沉积到拉锥光纤上制成光学强度调制器件。最后通过双通道平衡探测法测得该硒代亚磷酸铁可饱和吸收器件的饱和强度和调制深度分别为312 MW/cm2和33.7%。3.本工作第三部分通过将硒代亚磷酸铁可饱和吸收器件应用到光纤激光器中从而实现脉冲激光的输出。通过硒代亚磷酸铁可饱和吸收器调制光纤激光器实现的脉冲有锁模脉冲,调制脉冲,亮暗脉冲等,最后我们通过分析对比讨论了这些脉冲的区别以及出现的原因。