【摘 要】
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高压互连(HVI)是功率集成电路(PIC)中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。本文围绕高压互连技
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高压互连(HVI)是功率集成电路(PIC)中的重要技术,随着PIC在结构功能上的发展和应用范围上的增大,人们对功率集成电路中的高压互连技术的要求也与日俱增。本文围绕高压互连技术进行研究,重点研究高压互连技术和Divided RESURF结构。主要研究内容如下:1、通过建立模型研究了高压互连线对器件的影响,并总结了包括厚绝缘层技术、降场层技术、场板技术。厚绝缘层技术增加了HVI与硅表面之间的距离;降场层技术引入了额外的经过优化的掺杂区域来辅助HVI下方的漂移区的耗尽。场板技术通过多种多样的场板结构来屏蔽HVI的影响。自屏蔽技术让HVI避免跨过高压结终端,从而不再需要额外的隔离结构。2、通过仿真探究互连线对RESURF器件的影响因素,并根据仿真结果设计了包括:一种窄线宽的高压互连结构、一种部分场板屏蔽的高压互连结构、一种多片式高压互连结构等新型高压互连结构。3、使用Divided RESURF技术设计一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS),通过进行二维工艺仿真,优化其结构和掺杂浓度等参数,器件的击穿耐压达到818V,可用于600V的电平位移电路中。
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