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透明导电薄膜在各类电池、平板显示、低辐射玻璃、电磁屏蔽等领域中都有广泛的应用。随着社会的信息化势头和光电产业欣欣向荣的发展,当前产业化的掺锡氧化铟(ITO)薄膜逐渐无法满足上游需求者和下游相关产业对透明导电薄膜的大量需求和高性能要求。电介质/金属/电介质(DMD)结构多层薄膜可以将金属膜与电介质层的优势互补,且在室温下制备即可获得高光电性能,此外,得益于金属良好的延展性,DMD结构薄膜可以通过卷对卷沉积技术实现柔性大面积薄膜的制备,应用前景广泛。但是目前最常用的Ag基多层薄膜由于夹层金属Ag在长期或高温下使用时易发生扩散和氧化而使光电性能明显劣化,给实际应用带来诸多限制以及高额的更换修复成本,严重影响使用效果。因此在保证薄膜光电性能的同时提高其稳定性成为当前研究者关注的热点。针对以上问题,本文在保证光电性能的前提下,提出在AZO/Ag/AZO多层薄膜中引入薄Ni层,以使其作为阻挡层限制Ag原子的扩散和氧化,从而提高薄膜的稳定性。本文通过改变金属及电介质的厚度参数,探究结构形貌以及光电性能变化规律,得到具有最佳性能的AZO/Ni/Ag/AZO薄膜对应的各介质层厚:AZO为45nm,Ni为4nm,Ag为8nm,对应薄膜的可见光最高透过率达78.7%,面电阻为6.352Ω/sq,品质因数值为14.35×10-3Ω-1。在此基础上,将AZO/Ni/Ag/AZO薄膜和作为对比的AZO/Ag/AZO薄膜在氮气和空气这两种环境中高温处理一段时间,通过XRD、AFM以及紫外可见光光分度计、霍尔效应等手段探究二者结构、形貌以及光电性能的变化,分析Ni在其中的作用机制。结果表明,无论是高温无氧还是高温易氧化环境,Ni层的加入使薄膜可以在500℃处理后仍基本保持原先优良的光电性能,AZO/Ni/Ag/AZO薄膜光电性能的稳定性要远优于AZO/Ag/AZO薄膜,是一种光电性能优异且稳定性高的透明导电薄膜。除实验方面的工作外,本文还通过传输矩阵法理论计算和TFCalc光学设计软件仿真得到Ag膜、Ni/Ag膜以及AZO/Ni/Ag/AZO多层薄膜的光学性能,并比较了两种方法的优劣。研究表明,反射在Ag膜对光的损耗中占主要地位,而在Ni/Ag膜中薄膜对光的损耗中吸收占较大比例;对于AZO/Ni/Ag/AZO薄膜,光的干涉相消受中间金属层的影响很小,AZO层厚度的增大会带来透过率的先升后降。基于AZO/Ni/Ag/AZO薄膜优异的光电性能,本文通过CST电磁仿真软件得到薄膜对2～40GHz宽频电磁波以及核电磁脉冲的屏蔽效能。仿真结果表明,AZO/Ni/Ag/AZO薄膜的电磁屏蔽特性优异,是一种性能稳定的透明电磁屏蔽材料。