低温共烧陶瓷（LTCC）技术具有优异的高频、高速传输以及宽通带特性,已经成为电子元器件集成化、模块化的首选制备方式,广泛应用于信息、能源、军工等领域。目前,常见的LTCC材料主要集中在低介电常数材料体系,对高介电常数LTCC材料的研究和开发还相对比较薄弱,其难点在于既要保证烧结温度在900℃以下,同时又要兼顾材料介电性能以及LTCC的工艺适应性。论文以研制一种高介电常数（ε_r>30）、低损耗的LTCC材料为目标,选择La₂O₃-B₂O₃-ZnO（LBZ）微晶玻璃作为烧结助剂,以具有高介电常数的BaNd₂Ti₄O₁₂（BNT）陶瓷作为基体陶瓷研制微晶玻璃/陶瓷复相体系。通过设计并调控LBZ微晶玻璃的软化温度和晶化过程,实现对基体陶瓷低温烧结（<900℃）的同时,制得的复相材料兼具高的介电常数和优良的高频低损耗性能。论文首先研究了成分对La₂O₃-B₂O₃微晶玻璃形成特性的影响,进而研究了LBZ微晶玻璃的结构、相组成、热力学性能和介电性能。研究结果表明:La₂O₃含量的提高会引起LBZ微晶玻璃的软化温度、析晶活化能和热膨胀系数的增加;增加ZnO的含量会引起LBZ软化温度、析晶活化能及热膨胀系数降低;一定范围内增加B₂O₃的含量能够提高LBZ玻璃热膨胀系数,其析晶活化能先降低后增加、软化温度先增加后降低;LBZ微晶玻璃在适当温度下热处理时会析出La（BO₂）₃和LaBO₃晶体,析出晶体能极大优化微晶玻璃的介电性能,其介电损耗由24.4×10^-3提高至3.31×10^-3。采用固相烧结法制备了BaNd₂Ti₄O₁₂陶瓷,其在1350℃制得BNT陶瓷的密度为5.5g/cm³,介电性能为:ε_r=79.9,Q×f=53845GHz。以LBZ微晶玻璃为烧结助剂,以BNT陶瓷为基体陶瓷,通过低温烧结（<900℃）得到LBZ/BNT复相陶瓷。研究了复相陶瓷的烧结致密化过程,相结构与介电性能。研究结果表明:LBZ玻璃与BNT陶瓷烧结过程中不会发生界面反应,复相陶瓷中的晶相主要是BaNd₂Ti₄O₁₂和La（BO₂）₃;LBZ/BNT复相陶瓷烧结致密化温度为850⁹00℃,随着玻璃含量的增加,样品的烧结温度迅速降低,致密度也相应提高;0.2La₂O₃-0.4B₂O₃-0.4ZnO微晶玻璃与BNT陶瓷复合后可在900℃实现致密化,得到的样品具有优异的性能,在6.044GHz的频率下,样品的介电常数ε_r=39.61,介电损耗tanδ=1.033×10^-3,热导率为0.672W/（m·K）。