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以碳纳米管为代表的一维纳米材料已成为纳米科技领域十分重要的研究课题,在这些材料中,氧化物半导体一维纳米材料又受到了特殊的关注,这不仅因为丰富多样的氧化物纳米结构不断被制备出来,更因为氧化物中阳离子价态可变、氧空位浓度可调,从而氧化物半导体的性质可以有效调控。发展新合成方法、拓展新体系、合成新结构、探索新性能是当今重要的研究热点。本论文的主要内容是关于一维氧化物纳米材料的气相合成和光致发光性能的研究。具体包括以下几个方面:1. ITO衬底上Sn掺杂ZnO纳米线的制备及生长机制、光学性能研究