本论文选择对未来纳米器件应用起着重要作用的几种纳米材料作为研究对象，如SiO2，In2O3等，系统地研究了准一维纳米材料的可控生长过程，研究了制备工艺参数对准一维纳米材料形貌的影响，找出最佳工艺条件，做到根据需要生长不同形貌的氧化物准一维纳米材料。在此基础上研究了荧光特性，并对形貌可控的机理进行了初步探讨。 　　本文研究了准一维氧化硅纳米材料形貌可控的制备方法，找出了准一维氧化硅纳米管、纳米丝及ZnS/SiO2同轴纳米电缆的生长条件，确定了对应不同形貌一维氧化硅纳米材料的制备工艺参数。 　　本文系统地研究了准一维In2O3纳米结构形貌可控的制备方法，找出了带有多面体头的In2O3纳米线、In2O3八面体、In2O3纳米线的生长条件，确定了对应不同形貌一维In2O3纳米结构的制备工艺参数。 　　本文采用常规固相反应法，制备出SrAl2O4：Eu2+，Dy3+长余辉材料。重点研究了在不同条件——合成温度、系统内不同气氛——下合成的掺杂长余辉SrAl2O4粉末的光致发光性能，揭示了在SrAl2O4基体中、非还原气氛下Eu3+→Eu2+的转变，并探讨了其转变机理。