GaN蓝光发光器件由于在全色光显示方面的关键作用而在上世纪九十年代得到了广泛的关注，并且在九十年代末成功制得了第一个GaN蓝光激光器。本世纪以来，关于GaN激光器的进一步研究仍然是半导体材料界的重要方向，而GaN和InGaN，AlGaN等三元化合物构成的多量子阱超晶格结构一直是GaN半导体激光器的主要部分，又因为GaN六方纤锌矿晶体结构在c轴方向的极化使得超晶格结构的各层内部都存在内建电场，了解内建电场的大小对激光器的发光波长等性能和GaN的p型掺杂都有重要的意义，但是多量子阱超晶格结构中内建电场的计算和测量一直很难得到精确的结果。 本文利用电子全息术可以反映样品内势变化这一特点，对AlGaN/GaN多量子阱超晶格结构的内建电场进行了测量。电子全息方法对有厚度变化的微区(几十纳米以下)进行定量测量的工作鲜有人做，原因是微区内的样品厚度变化很难精确测量。本文利用AlGaN/GaN多量子阱超晶格结构各层中点的内势值为材料平均内势的特点，首先得到了样品厚度的变化情况，然后定性的描绘出样品的内势结构分布和定量的测量出内建电场的大致大小。 本文用通过理论分析对测量结果进行了验证，证明测得的内建电场的结果是可靠的。同时，还用这种实验方法测到晶体的生长极性，也用其他方法进行了可靠性验证。