【摘 要】
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目的:探讨CT能谱成像技术对冠状动脉支架植入术后支架显示的最佳单能量水平。方法:连续收集经皮冠状动脉介入治疗(PCI)术后患者30例,采用宝石CT能谱成像扫描,将扫描获得的原始图像采用40%自适应统计迭代重建出40keV-140keV(间隔10keV)的单能量图像,计算噪声及对比噪声比;测量支架内5个点的CT值,取支架内5个点的平均值作为支架内CT值,测量支架外近端5mm、支架外远端5mm的CT值
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目的:探讨CT能谱成像技术对冠状动脉支架植入术后支架显示的最佳单能量水平。方法:连续收集经皮冠状动脉介入治疗(PCI)术后患者30例,采用宝石CT能谱成像扫描,将扫描获得的原始图像采用40%自适应统计迭代重建出40keV-140keV(间隔10keV)的单能量图像,计算噪声及对比噪声比;测量支架内5个点的CT值,取支架内5个点的平均值作为支架内CT值,测量支架外近端5mm、支架外远端5mm的CT值,计算支架外CT值的平均值及各单能量水平下支架腔内、外CT值的差值。结果:噪声、对比噪声比随单能量水平的增加而降低(Noise:90keV-140keV:[(12.08±1.66)-(13.78±0.43)];40keV-80keV:[(14.05±0.03)-(28.81±1.54)]);(CNR:90keV-140keV:[(21.38±2.97)-(27.61±0.94)];40keV-80keV:[(33.32±0.30)-(49.90±2.62)]);较高的单能量水平表现出较小的支架腔内、外CT值的差值(90keV-140keV:[(27.37±12.49)HU-(49.39±3.02)HU]);(40keV-80keV:[(62.24±0.13)HU-(233.13±0.21)HU]);支架腔内平均CT值及升主动脉根部CT值随单能量水平增加而呈下降趋势(40keV:[(1191.14±357.93)HU];[(1291.52±314.42)HU]);(80keV:[(340.08±100.95)]HU;[(324.82±74.70)HU]);(140keV:[(159.54±58.07)HU];[(116.76±24.48)HU]),80keV水平时CT值最接近350HU。结论:PCI术后患者行心脏CT能谱扫描时在80keV单能量水平下噪声相对较小、对比信噪比相对较高,支架腔内衰减较小且CT值最接近血管最佳强化值,80keV是显示支架的最佳单能量水平。
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