微电子与信息技术的飞速发展推动了移动便携设备的发展。为了获得更好的便携体验,电子设备逐渐向更便捷、功耗更低等方向发展;此外,单芯片集成多功能模块对电源管理技术提出了各种不同的新需求。RFID（Radio Frequency Identification）技术,又称无线射频识别,是一种通信技术,利用射频信号识别特定物体。该技术具备多方面的优势,被广泛应用于服装行业、物流管理、电子支付等各界领域。RFID标签芯片作为该技术不可或缺的一部分,也备受人们关注。标签芯片的电源对标签灵敏度影响较大,其电源管理模块就显得尤为重要。电源模块必须具备快速响应能力,当负载电流发生突变时,输出电压会有很大的过冲,对于数字电路来说,调整不及时很可能会发生逻辑错误。标签芯片的电源设计还面临着很多挑战,比如面积限制、高于90%的转换效率、低功耗模式下的低漏电流和低静态电流等等。LDO（Low Dropout Regulator）电路因其具有快速响应、低功耗、结构简单等优势,很适合应用于RFID标签芯片的电源模块。本文设计了一种应用于标签芯片的LDO稳压供电电路,满足其响应速度、输出稳定、低功耗的应用。本文主要的创新是提出了一种基于FVF（Flipped Voltage Follower）双反馈的电路结构,该结构提高了反馈环路的瞬态响应速度。其次,采用宽摆幅共源共栅电流镜结构,设计了一种低温度系数的带隙基准。本文采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,对设计的LDO电路进行仿真分析。其中运算放大器选择两级放大器在仿真优化下即可达到设计要求,其增益为60d B,相位裕度为72°,满足运放的稳定性要求。带隙基准模块在基于Widlar结构的基础上,采用宽摆幅共源共栅电流镜结构,实现了在较宽的电压范围内正常工作,稳定输出电压为1.21V,温度系数为6.725ppm/℃的带隙基准电路。此外,该带隙基准与本文提出的基于FVF的双反馈电路结构,共同构成完整的LDO电路。整体电路通过Cadence软件仿真调试,结果表明:频率在1k Hz情况下,电源抑制比为62.6d B,相位裕度为65°,达到电路稳定的设计标准,瞬态输出过冲电压小于3.36m V,恢复时间为2.72μs,下冲电压小于3.45m V,恢复时间为2.75μs,满足了相应的指标要求。