气敏传感器能对易燃易爆、有毒有害气体等进行检测,在当今的生活和生产中有着广泛的应用。气敏传感器的性能主要由气敏材料决定,金属氧化物半导体材料具有良好的光电性能,并具有制备工艺简单、绿色环保等特点,目前已成为气敏传感材料领域研究的热点。ZnSnO3是一种三元金属氧化物半导体材料,不仅具有气敏性能,还具有UV光电性能。但ZnSnO3作为气敏材料,具有工作温度高的缺点,需在200℃以上才能表现出良好的气敏性能。针对这一问题,本课题采用了以下方法,不仅降低了ZnSnO3的工作温度,而且还提高了其气敏性能。首先,在有机功能添加剂二甲基乙酰胺（Dimethylacetamide,DMAC）的作用下,采用共沉淀法制备出Zn Sn（OH）6纳米球颗粒（粒径为300-500 nm）;其次,上述Zn Sn（OH）6前驱体在500℃高温下脱水形成ZnSnO3纳米球,形貌和粒径保持不变;最后,使用UV光敏材料纳米TiO2（粒径约为25 nm）和CeO2（粒径为20-50 nm）对ZnSnO3纳米球进行修饰,形成异质结,并辅以紫外光（385 nm）照射。实验结果表明,385 nm紫外光（468 lx）对TiO2-ZnSnO3复合材料的气敏性能提升效果比365 nm紫外光（420 lx）更明显;DMAC添加量为9 wt%、nano-TiO2的修饰量为12.5 wt%、nano-CeO2的修饰量为1 wt%时,TiO2-CeO2@ZnSnO3复合材料在紫外光（385 nm）照射下对乙醇气体极为敏感,响应值高达603（500ppm）,此时的工作温度为100℃。机理研究表明,气敏性能在低温下提升的主要原因是:nano-TiO2和nano-CeO2共修饰与ZnSnO3在界面处形成异质结,在紫外光激发时有效地抑制了电子-空穴对的复合,同时由于高照度（468 lx）能产生更多的光电子,这些条件有利于导带中电子数量的增加,促进氧负离子的生成和气敏反应的进行,使ZnSnO3在低温下就获得较好的气敏性能。综上,本课题制备了ZnSnO3纳米球,通过nano-TiO2和nano-CeO2共修饰,辅以紫外光照射,不仅降低了所制备气敏传感器的工作温度,而且显著提升了气敏响应值。以上TiO2-CeO2@ZnSnO3复合材料的制备方法以及提升气敏性能的方法为高性能气敏传感器的研究提供了新思路。