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多孔硅是一种新兴的室温气敏材料。由于其具有较高的比表面积,而且制备过程简单,近年来被广泛应用于气体检测及环境监视领域。本文主要针对大孔硅、大孔硅基氧化钨、介孔硅以及介孔硅基氧化钨气敏传感器的制备与性能进行分析和研究。采用双槽电化学腐蚀法腐蚀P型单晶硅形成有序大孔硅。研究了不同的腐蚀时间对于大孔硅结构、孔隙率、电学和气敏特性的影响。研究发现:随着腐蚀时间的增加,大孔硅的腐蚀深度增加,孔隙率变大。大孔硅与电极之间形成了欧姆接触。腐蚀时间为5min的大孔硅气敏特性最好。其在室温下对50ppm的NH3的灵敏度为4.2,响应/恢复时间为51s/242s,恢复特性良好。以大孔硅为基底,在其上溅射淀积氧化钨薄膜,制备出了大孔硅基氧化钨气敏传感器。研究了大孔硅基氧化钨薄膜的形貌,晶体结构,成分以及气敏特性。通过SEM观察发现,氧化钨薄膜淀积在大孔硅表面。气敏特性实验表明:气敏特性最好的大孔硅基氧化钨气敏传感器对1ppm、10ppm、25ppm和50ppm的NO2的灵敏度分别为1.40、5.01、9.01和14.4,明显好于大孔硅对NO2的气敏特性。使用双槽电化学腐蚀法在P型重掺杂单晶硅表面制备介孔硅。分析了不同腐蚀电流密度对于介孔硅的结构,深度,孔隙率,电学特性和气敏特性的影响。结果表明:随着腐蚀电流密度的增加,其表面孔洞增多,深度增加,孔隙率变大,电阻升高。腐蚀电流密度为80mA/cm2的介孔硅的室温气敏性能最好。与大孔硅相比,介孔硅具有较高的气体灵敏度。大孔硅对NH3具有较好的选择性,而介孔硅对NO2具有较好的选择性。随后采用不同放置方法对介孔硅的气敏稳定性进行了研究。实验发现:采用真空放置的介孔硅气敏稳定性较好。采用对向靶直流反应磁控溅射法在介孔硅上制备介孔硅基氧化钨气敏传感器,通过实验分析了溅射时间、溅射压强和氩氧比等各因素对介孔硅基氧化钨薄膜微观结构和气敏特性的影响,获得了制备介孔硅基氧化钨薄膜的各个溅射工艺条件的最佳参数。通过不同温度下介孔硅和介孔硅基氧化钨气敏传感器对于NO2和NH3灵敏度对比发现:介孔硅基氧化钨气敏传感器具有比介孔硅更好的气敏特性。在室温下,其对1ppm的NO2的灵敏度为4.22,对50ppm的NH3的灵敏度为18.3。并且响应速度较快,很大程度上缩短了响应时间。