传统频率选择表面（FSS）由于一般采用微带谐振器（品质因数较低）来实现,虽然具有低剖面的优点,但其选择性很难提高。基于金属腔体的频率选择结构,具有很高的品质因数,所以具有很高的选择性,但是缺点是剖面高、体积大。本文将基片集成波导（SIW）技术应用到频率选择结构中,使得这种结构既具有类似传统频率选择表面低剖面的优点,又具有金属腔体结构的高选择性。提出了一种的基于非谐振模的SIW频率选择结构,并利用非谐振模在其通带两侧产生传输零点,使得其选择性比常规SIW频率选择结构更高。对该结构的深入研究不仅具有很高的理论价值,更具有非常好的实际工程应用价值。本文的主要研究工作由以下几部分组成:1)从频率选择结构的高选择性的实现方式入手,介绍了非谐振模的基本概念,以及实现高选择性的理论与方法。利用频率选择结构中的阶梯角对简并模进行扰动,使得简并模发生分离,从而形成一定的频率通带特性。对高选择性中的交叉耦合进行了简单介绍及理论分析。对基片集成波导的频率选择结构理论进行了详细介绍。2)阐述了高选择性单层SIW频率选择结构的设计方法及理论分析。设计了一款工作频率为10.4GHz且具有两个传输零点的高选择性单层SIW频率选择结构,相对带宽为1.5%,传输损耗为1.0dB。加工制作了一款10×10单元的单层SIW频率选择结构并进行了测试。结果表明实测数据与仿真数据具有很高的一致性,说明设计方法的正确性。3)在单层SIW频率选择结构基础上,设计了一款工作频率为10.4GHz,并具有更高选择性的双层SIW频率选择结构,对其结构进行了理论分析。由于该结构为双层结构,中间通过耦合槽进行能量传输,因此该结构具有四个传输零点。该结构的相对带宽为1.1%,传输损耗为2.5dB。加工制作了一款7×7单元的双层SIW频率选择结构并进行测试,实测数据与仿真数据吻合性较好。