【摘 要】
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该文介绍了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓纳米线及微米晶须的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,在衬底上以及Ga颗粒上制备得到了大量GaN纳米线.同时得到了微米级晶
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该文介绍了利用CVD方法大量制备超纯氮化镓纳米线及微米晶须的最新结果.利用镍、铟及其化合物等做催化剂,在衬底上以及Ga颗粒上制备得到了大量GaN纳米线.同时得到了微米级晶须,以及自组装形成了非常奇特的如梯子状的形貌.电镜分析显示,这些纳米线统度较高,形态较好.X射线衍射谱揭示,反应产物为非常纯的氮化镓晶体.在研究GaN纳米线显微结构的基础上,提出了以VLS机制为基础的GaN纳米线和GaN微米级结构的生长机制.对制备的GaN纳米线做了光致发光谱(PL)的研究,得到了其位于紫外的带边激发峰和位于黄光区的杂质发光峰.利用CVD方法得到了Ga<,2>O<,3>纳米线和纳米带,使用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)研究了其显微结构.进行了X衍射(XRD)、电子能量损失谱(EELS)、光致发光谱(PL),阴极荧光谱(CL)等实验的研究,探讨了Ga<,2>O<,3>纳米线的发光机制.
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