基于SDRAM的LPDDR4高速接口测试与优化

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近年来,人们对智能移动终端的数据存储需求不断增大,对数据处理速度要求增强,对电池的使用时长也提出更高要求。LPDDR(Low Power Double Data Rate)SDRAM因具备低功耗和高存储密度的特点而广泛应用于移动设备中,至今已发展至LPDDR4,接口传输速率高达400MB/s。传输速率的不断提高为系统提供了更快的数据处理速率以及更宽的处理流量。SOC芯片通过内部LPDDR4接口与片外SDRAM进行实时通信,传输接口是芯片与存储器之间的通信枢纽。现今,通过SIP封装技术将SOC芯片与内存SDRAM封装于一体已成为主流,内部接口与片外SDRAM通过球形封装阵列相连,该技术在实现了系统级集成的同时增加了面积利用率。但与此同时,芯片有限的外露管脚使测试的复杂度急剧增加,如何保证接口与存储器的优良连接性,如何不让传输接口成为芯片与存储器之间通信的短板,如何保证接口实现功能的正确性,都是需要通过测试解决的问题。本论文在深入研究JEDEC发布的LPDDR4 SDRAM标准的基础上,分析与其通信的接口所必须具备的关键因素,阐述了LPDDR4高速I/O接口所实现的功能。参考芯片及接口模块的可测试性电路设计,提出了包括管脚的电路测试、时钟频率与ADPLL BIST测试以及自动化眼宽测试的测试需求,并设计了相应的测试方案。根据所提出的测试方案编写测试用例,产生测试向量,并对测试向量进行了仿真,在理论层面验证了测试方案的可行性。由于仿真无法体现器件的信号强度,寄生电容以及驱动能力,所以需要在自动测试机台上实现对实际芯片的测试。在测试向量中标记需要抓取的寄存器位,运行修改后的测试向量,等待完成后收集结果。编写python语言解析测试结果,并利用JMP数据分析软件对测试结果进行分析,验证了测试方案的实际可行性,并为之后的芯片量产测试提供了理论支撑。最后,根据测试结果以及对LPDDR4高速I/O接口的理解,提出新的测试需求,给出了理论测试方法,利用MATLAB软件进行简单仿真,验证了可行性;并提出了对管脚电路测试故障覆盖率的优化方案。
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