近几年,二维材料MoS2因其在基础研究和光电子器件方面的应用前景而受到了越来越多的关注,单层硫化钼MoS2作为一种直接带隙半导体,有着1.9ev左右的光学带隙,因此在可见光探测和发光器件上有着潜在的发展前景。而单层硫化钼MoS2在硅片上呈现出天然n型的性质,这极大地限制了硫化钼MoS2的发光表现。因此本文研究如何提高硫化钼的发光表现,内容如下：1.通过缺陷工程提高单层硫化钼MoS2的光学性能,将单层硫化钼放置在空气中进行退火处理能提高MoSz的光致发光强度达到两个数量级,这相较于其他物理调控方法能更加明显地提高硫化钼的发光强度。通过AFM和时间分辨光谱TRPL证明了退火过程中引入的缺陷Mo-O键和相关缺陷是发光强度极大提高的原因。2.研究过氧化氢H2O2短时间内对单层硫化钼的发光增强,通过PL和Raman证实了过氧化氢可有效对单层硫化钼进行p型掺杂,同时可以调控硫化钼发光光谱中的激子与三激子发光强度的占比。随后的相关实验证明了过氧化氢对电子的亲和力能有效抽取硫化钼内的电子,而处理过后的硫化钼在空气中会逐渐恢复到原始状态。3.采用等离子体增强化学气相沉积PECVD系统制备了一系列的氢化碳化硅薄膜,通过改变在不同的硅烷和甲烷前驱物流量比调控薄膜纳米硅发光中心的尺寸大小,由于量子限制效应从而实现发光峰位的改变。同时碳化硅覆盖的竖直纳米线结构极大地提高了光致发光外量子效率。