二硫化钼（MoS₂）是一种类石墨烯材料,单层MoS₂是直接带隙半导体材料,弥补了零带隙石墨烯的不足。由于单层MoS₂拥有良好的光电性能,成为制备光电器件的最佳选择。然而,制备大面积大尺寸的单层MoS₂非常困难,无法满足大规模制造光电器件的需求。在本文中使用化学气相沉积（CVD）法生长大尺寸高质量的单层MoS₂,其间涉及均匀形核和非均匀形核两种不同形核方式。在非均匀形核法中使用氧化石墨烯量子点,石墨烯量子点和h-BN作为形核剂来提高单层MoS₂的尺寸和实验的重复率。并且使用原子力显微镜,扫描电镜,PL光谱和Raman光谱对生长出来的单层MoS₂进行表征测试。生长期间同时发现不同颜色的菱形MoS₂薄片,通过各种表征测试发现紫色菱形MoS₂薄片拥有良好的发光强度,它的发光强度是微机械剥离法制备的单层MoS₂的8倍。本文的研究会使得单层MoS₂在光电器件拥有更广泛的应用。