随着第三代太阳能电池的迅速崛起,钙钛矿太阳能电池成为了其中最耀眼的新星。自2009年起,短短的几年时间里其转换效率由3.9%提升到22.1%,取得了其他电池不可能完成的壮举,但是其还有很大的提升空间。因此,如何改善其制备条件和优化电池结构从而提高其光电转换效率仍是钙钛矿太阳能电池研究领域的重要课题。本文首先通过对基础制备条件的优化,制备出了基本的钙钛矿太阳能电池,为其接下来优化提供了参考依据;其次本文通过在钙钛矿前驱体溶液中引入NMP,对钙钛矿层进行了优化改善,并从多方面分析了其影响机理;最后本文通过采用Bphen:Cs₂CO₃:BCP层作为钙钛矿电池的阴极界面修饰层,有效的减少了电荷复合和提高了电子的提取,从而提升了器件性能。在第二章中,以ITO/PEDOT:PSS/CH₃NH₃PbI₃/PCBM/BCP/Ag为电池结构,通过优化制备条件,有效的获得了基本的钙钛矿太阳能电池。其开路电压V_OC为0.856V,短路电流密度为16.52mA·cm²,填充因子为72.8%,器件的光电转换效率达到了10.29%。随后采用一种简单而有效方法,通过在钙钛矿前驱体溶液中加入N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）改善钙钛矿薄膜质量,比较和分析了不同比例NMP的使用对成膜性能的影响。发现NMP的最佳添加量可以有助于形成更加均匀且致密的钙钛矿层,有效的改善了钙钛矿层的光吸收能力和减少了电荷复合和钙钛矿层缺陷,有利于制造更加优化的平面结构钙钛矿太阳能电池。与未经过处理的钙钛矿太阳能电池相比,其转换效率提高了27.11%.在第三章中,通过采用Bphen:Cs₂CO₃:BCP层作为钙钛矿（CH₃NH₃PbI₃）/PCBM和Ag电极的界面修饰层。可以通过Cs₂CO₃和BCP的有效有效的调节Bphen的能级,从而可以有效地提高电子提取和减少载流子复合,进一步的获得更高的V_OC。优化后的平面结构钙钛矿太阳能电池的功率转换效率（PCE）为16.93%,高于未掺杂Bphen（12.97%）参比器件。