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AlMgB14三元复合材料是近年来备受关注的一种新型超硬材料。它有独特的力学、热学和电学性能,在切割刀具或微型器件的保护涂层方面具有巨大的潜在应用价值。本论文利用三靶磁控溅射技术,在硅（100）基片上制备了AlMgB薄膜。深入研究了脉冲负偏压电压、偏压占空比、直流叠加脉冲负偏压其厚度、形貌、结构和力学性能的影响。（1）在不同脉冲负偏压电压下,制备了非晶的AlMgB薄膜。结果表明,在高脉冲负偏压电压下沉积的AlMgB薄膜不仅致密,而且含有更多结构良好的B12二十面体结构,这些特征都有助于沉积薄膜力学性能的提升。在脉冲负偏压电压为400V时,AlMgB薄膜的硬度达到22.6GPa,相应的弹性模量达到240GPa。除此之外,400V沉积的薄膜的粗糙度非常低,仅为0.89nm,达到原子级的光滑表面。然而,在低的脉冲负偏压电压沉积的AlMgB薄膜展现出疏松的结构,粗糙的表面,含有少量的B12二十面体,故而硬度较低。（2）在不同偏压占空比下,制备了非晶的AlMgB薄膜。实验表明,在高偏压占空比下,薄膜的表面遭到破坏,沉积薄膜的质量直线下降,附着性变差,膜基结合力较差。此外,薄膜中B12的含量随偏压占空比的增加而减少,导致硬度和弹性模量逐渐减小。（3）在不同直流叠加脉冲负偏压下,制备了非晶的AlMgB薄膜。实验表明,AlMgB薄膜的性能随着叠加脉冲负偏压的改变呈非单调性的变化。随着叠加脉冲负偏压的增加,AlMgB薄膜的沉积速率、硬度以及弹性模量均先增加后减小,表面粗糙度却先减小后增加。保持直流负电压50V不变,当叠加脉冲负偏压为300V时,AlMgB薄膜的力学性能相对来说最好,其硬度和弹性模量分别达到31GPa和301GPa。此时薄膜的粗糙度最低,仅0.8nm。而过高的叠加脉冲负偏压对薄膜的溅射效应增强,使得薄膜的总体质量下降。