在电子信息产业发展过程中，集成电路技术对现代化工业的发展和人们的生活起了极其重要的作用，而光刻技术是集成电路生产技术的核心和关键，倍受世界各国的关注。极紫外投影光刻(Extreme Ultraviolet Lithography简称EUVL)最有可能成为下一世纪生产线宽小于0.1μm集成电路的技术，近年来在激光等离子体光源、极紫外多层膜、光学加工和检测、光学精密装调、低缺陷掩模、光刻胶技术以及高稳定工作台系统控制等关键技术方面得到了飞速发展。作为EUVL关键技术之一，微缩投影光学系统的精密装调直接影响着系统的最终成像质量。 针对EUVL投影光学系统对成像质量的高精度要求和精密装调对于系统成像的重要性，本文在共轴照明Schwarzschild结构的EUVL成像系统基础上，进一步设计了离轴照明Schwarzschild结构的EUVL微缩投影光学系统，并模拟了光学系统的成像质量。对计算机辅助计算的精密装调技术进行了详细的理论分析，建立了数学模型，阐明了像差与各个结构参数的相关性，分析影响各种像差的主要因素，制定了装调方案。对Schwarzschild结构的EUVL微缩投影光学系统进行了模拟装调，验证了装调方案的可行性。 利用Bruning绝对测量方法对EUVL微缩投影光学系统的两个球面进行了高精度检测，检测的精度比用Zygo干涉仪直接检测有明显的提高。最终对EUVL系统中的Schwarzschild微缩投影光学系统进行装调，验证了系统装调的收敛性，装调后系统的最终波像差为0.0144λ RMS(λ=632.8nm)。