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锆钛酸铅镧((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)1-x/4O3,简称PLZT)薄膜因其优良的电光、热释电和铁电等性能,广泛应用于光电子学、微电子学和集成光学等领域,是作为光开关,红外探测器和光波导等控制部件的理想材料。本文采用MOD法,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上成功制备出PLZT(8/65/35)薄膜。在制备过程中采用差热分析方法,确定了薄膜各生长阶段的温度范围为(600℃-750℃)。通过AFM. SEM和XRD的分析以及性能测试,结果表明:(1)对PLZ