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太赫兹(Terahertz,THz)波作为一种在0.1～10THz频率范围内的电磁波,因其具有独特的光电特性而引起了人们的极大兴趣,并被广泛应用于无线通信、安全检测、雷达成像、生物医学等领域。然而,传统金属材料的不可调性和较大的能量损耗,极大的限制了 THz技术在诸多领域的应用和发展。二氧化钒(VO2),作为一种具有优异导电特性和相变性质的超材料,VO2的相变温度为68℃,我们可以通过电、热和光控制诱导的方法控制VO2的相变过程,使其从绝缘体状态过渡为金属状态,在相变过程中,VO2的电导率会在200S/m～200000S/m之间变化。因此,二氧化钒超材料可以在很大程度上解决太赫兹功能器件不可调谐性的问题,并且促进了太赫兹技术及太赫兹光电子功能器件的发展和应用。本文主要研究探讨了基于二氧化钒超材料的可调太赫兹吸波体,具体的研究工作如下:1.研究了一种基于二氧化钒的可调双宽带太赫兹吸波体。我们将两个相同的VO2超表面结构成对角放置在吸波体的顶层,组成了一个具有双宽带吸收的太赫兹吸波体,两个吸收宽带分别在0.796THz～1.32THz和2.96THz～3.52THz范围内达到了 97.5%和90.1%的吸收率,这两个吸收带宽分别是由等离子共振和耦合效应引起共振激发而成。通过调节VO2的电导率,可以对该吸波体的两个吸收宽带实现振幅的动态可调制,其中,当VO2的电导率从500S/m增加到200000S/m 时,在 0.58THz 至 1.62THz 和 2.48THz 至 3.53THz 频率范围内,该吸波体的振幅调制深度可以达到90%以上。此外,我们还研究了入射角和偏振角对吸波体吸收性能的影响,研究发现该吸波体不仅显示出了明显的偏振不敏感特性,而且在较宽的入射角度下依然可以保持优良的吸收性能。2.研究了一种基于二氧化钒的具有双控可调功能的宽带太赫兹吸波体。该太赫兹吸波体是一个简单的三层结构,包括一个狄拉克半金属组成的谐振环结构,一个由SiO2组成的介电层以及VO2薄膜基底层。该吸波体在0.412THz～0.72THz频率范围内产生了一个吸收宽带,吸收率达到了 97%,通过调节VO2的电导率可以实现对吸波体吸收宽带振幅的动态可调制,当VO2的电导率由500S/m增加到50000S/m时,在0.28THz至0.83THz频率范围内,该吸波体振幅的调制深度可以达到48%以上,而在0.39THz和0.73THz频率处的振幅调制深度更是分别高达70%和69.1%。此外,调节狄拉克半金属的费米能级则可以实现对吸波体吸收宽带振幅的调制和频率的调谐功能,从而实现对吸波体吸收性能的双控可调功能。此外,我们研究了入射角对该吸波体吸收性能的影响,研究发现在较宽的入射角度下该吸波体依然具有良好的吸收性能。