随着有机场效应晶体管(organic field-effect transistor, OFET)的研究逐渐深入,有机光敏场效应晶体管(photoresponsive organic field-effect transistor, PhotOFET)也吸引了越来越多的研究者的目光。因其相对于光电二极管(Photodiode)、有机双极光电晶体管(Organic bipolar phototransistor)具有更高的增益和信噪比,有机光敏场效应管在图形传感器、光探测器等领域的应用前景十分广阔。本论文基于常规平面结构的底栅顶接触有机场效应晶体管研究了CuPc有机功能层厚度对器件场效应特性的影响以及不同的电极材料对器件性能的影响。研究发现,使用Au作为源/漏电极的CuPc有机场效应晶体管具有良好的场效应特性,对于CuPc层厚度为50nm的器件,开/关比可以达到105,在-50V栅压、-50V漏压的条件下,可以获得超过650nA的电流。同时发现薄膜厚度对于器件性能具有影响,当薄膜厚度为50nm左右时,器件的场效应性能最好。但基于金电极的器件明/暗电流比仅不到1,光照下器件的开/关比约为103,-50V栅压、-50V漏压的条件下,50nm有机层厚度器件的光响应度约为2.55mA/W。随后我们研究了A1作为漏/源电极,不同厚度的CuPc薄膜作为有机功能层的有机场效应晶体管性能。研究发现,以Al作为源漏电极的有机场效应晶体管在黑暗条件下不具有场效应特性。光照条件下器件则能够表现出良好的场效应特性。对于CuPc厚度为100nm的场效应器件,在-50V栅压,-50V漏压,波长655nm,光强100mW/cm2的红色激光下,器件的光生电流可达100nA以上,因此器件的开/关比和明/暗电流比均超过104,光响应度约为0.83mA/W,表现出明显的光敏场效应特性。