基于氧化铜二维纳米结构的气体传感器气敏性能研究

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以金属氧化物为基础的半导体气体传感器具有尺寸小、成本低、灵敏度高、稳定性好、灵活性高、兼容性好等优异特质,被广泛应用于环境监控、医疗卫生、生产控制、犯罪侦察等诸多领域。目前所研究的以金属氧化物为基础的半导体气体传感器都以n型半导体氧化物为主,对p型半导体氧化物气体传感器的研究较少。本论文以典型的p型半导体氧化物CuO作为研究对象,系统地研究了纳米结构的CuO气敏材料的气敏性能,并取得了以下的研究成果:(1)成功地在铜箔表面生长氧化铜二维片状纳米结构,制备了基于该纳米结构氧化铜气敏材料的气体传感器。气敏测试结果表明,基于该纳米结构氧化铜的气体传感器拥有优于普通氧化铜粉末材料的气体传感性能。(2)使用制备的氧化铜二维片状纳米结构作为锂离子电池的正极材料,利用锂离子电池的正极材料在锂离子电池在充放电循环过程中的嵌锂-脱锂过程使氧化铜二维片状纳米结构表面积增大,并基于充放电循环之后的氧化铜气敏材料制备了气体传感器。气敏测试结果表明,相对于嵌锂-脱锂过程之前,材料的气体传感性能有了一定的提高。
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