本文采用化学气相沉积法，以TEOS与O₃为前驱物，低温下在单晶硅片表面上沉积了二氧化硅膜层。通过分析不同温度、不同硅酸乙酯流量、不同O₃与TEOS的比率，研究了沉积膜层的试验条件对成膜质量的影响，并找到了较好的成膜条件；并对膜层的致密性能进行了检测。结果显示：常压下，随着反应室温度升高，沉积速率先升高到最大值然后下降，腐蚀速率则呈现下降，并且下降趋势逐渐缓慢。基片表面膜层致密性能逐渐提高。在反应室温度为大约400℃时，沉积的膜层性能较好；随着TEOS流量升高，沉积速率升高，腐蚀速率也升高，致密性能下降，沉积速率过快，不利于膜层的致密性能；沉积速率随氧气与硅酸乙酯比率升高而下降；腐蚀速率也随氧气与硅酸乙酯比率升高而下降并趋向平缓，膜层致密性能不断提高，由此优选的O₂与TEOS比率至少应大于4。在低压下，随着温度升高，沉积速率先升高到一定值然后下降，腐蚀速率则呈现下降趋势并趋向平缓，致密性能逐渐提高，优选温度为450℃。