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随着电子产品向微型化、多功能化方向发展，面阵列封装以其高I/O数、导热性能好、封装体积小和成本低等优点成为目前的主流封装形式。电子产品在使用过程中，由于热循环，跌落冲击等因素可能在芯片基板和电路板之间产生剪切载荷使其损坏失效，因此研究互连结构的剪切性能十分重要。本文采用PTR-1100接合强度测试仪对单个BGA微焊点以及BGA，CCGA和CuCGA封装的整体阵列互连结构的剪切性能进行了实验研究，并考察了焊点形状参数和剪切速度对阵列互连结构的剪切行为的影响。结果表明：1）BGA单球和阵列互连的剪切曲线均呈抛物线形。CCGA和CuCGA阵列互连在发生挠曲变形后剪切曲线表现出不同的四个阶段，并且焊柱在第一阶段以弹性变形为主，在第二阶段以挠曲变形为主。2）SAC305和Sn30Pb70BGA微焊点的至断剪切力随剪切高度的增加而减小，随剪切速度的增加而增大。至断位移随剪切高度的增加而增加；而剪切速度对单个微焊点的至断位移的影响在SAC305和Sn30Pb70两种不同材料上有所不同。BGA阵列互连的至断剪切力随剪切速度的增加呈增加趋势，至断位移则呈减小趋势。3）长径比从3到10，CCGA的至断剪切力先减小后增加，然后趋于平稳；长径比从6到12，CuCGA的至断剪切力则呈增加趋势，但增加趋势变得缓慢。CCGA和CuCGA的至断位移随长径比的增加而增加。随着剪切速度的增加，CCGA和CuCGA的至断剪切力都呈增加趋势；CuCGA的至断位移也呈增加趋势，而剪切速度对CCGA至断位移的影响因长径比的不同而有所不同。4）相同剪切条件下，SAC305单个BGA微焊点的至断剪切力高出Sn30Pb70约1~4N，阵列互连高出Sn30Pb70约3N；SAC305的至断位移也普遍高于Sn30Pb70。相同长径比时，无论是高速剪切还是低速剪切，CuCGA的至断剪切力都要比CCGA的至断剪切力高出30~60N。