基于二维材料碳化硅及硅烯纳米带的热自旋输运性质的研究

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【摘要】

：

基于自旋电子学及热电子学相结合的热自旋电子学在未来的的信息科学中有着广泛的应用,为未来开发出多功能材料和器件,特别是未来热电转换和低能耗器件的设计指明了新的方向,打破了传统电子学和自旋电子学的局限。本文采用基于密度泛函理论并结合非平衡态格林函数的方法,分别研究了锯齿型碳化硅及低翘曲结构硅烯纳米带构建的异质结器件的热自旋电流输运性质,具体开展了如下两个方面的工作:(1)我们设计了一个基于锯齿型边缘碳

【作者】

：

吴丹丹

【机构】

：

华中科技大学

【发表日期】

：

2015年05期

【关键词】

：

热自旋电子学碳化硅纳米带非平衡格林函数方法第一性原理密度泛函理论热自旋过滤效应热致负微分电阻效应自旋塞贝克效应硅烯自旋塞贝克二极管效应

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