MOSFET器件具有稳定性好、安全工作区大等优点,所以很早就引起了人们的关注。早在上个世纪60年代研究人员就开始对MOSFET的内部结构和工作原理做了相应的分析。跨导作为MOSFET的一个重要参数描述的是栅电压对源漏极电流的控制能力,被广泛应用在电路的放大器中,不少人对小尺寸晶体管,窄沟道MOSFET进行了广泛的研究,但是对压力作用下MOSFET跨导变化的研究还有待深入。本文从半导体异质结材料和电子迁移率出发,对在压力作用下Ⅲ-Ⅴ族化合物所组成半导体材料的杂质散射和跨导特性做了详细的理论研究和分析计算。首先根据理想MOSFET的结构对其做了定性描述给出了场效应管的能带结构图、有效质量、有效迁移率、定量公式及栅压关系,给出了半导体静电特性的定量描述。进-步研究了MOSFET的工作机理和导电沟道形成过程。其次根据分子束外延沿(001)方向建立MOSFET模型,对异质结中导电沟道的二维电子气(2DEG)的杂质散射率进行了分析。主要包括对在压力作用时的势垒高度、有效质量、有效迁移率的变化趋势进行分析为后面的跨导随压力的关系曲线提供了理论基础。最后采用Ⅲ-V族化合物AlGaAs/GaAs异质结体系,利用matlab和origin等制图软件讨论了在不同压力下跨导随力学的曲线关系,仿真了2DEG中的电离杂质散射,面密度,基态电子动能随AlGaAs隔离层厚度L的变化关系。得到了跨导随压力稳定变化的关系值,为在器件设计上提供相应的参考。综上所述,本论文通过对不同压力作用下AlGaAs隔离层厚度L变化引起的导电沟道中迁移率变化得到压力对跨导的关系曲线,为MOSFET器件在不同环境下的性能影响提供理论依据。