激光干涉刻蚀技术是目前较为先进的有序纳米阵列制备技术,该技术能在样品表面实现规则点阵的制备,但是在对半导体基底刻蚀时,难以实现深度刻蚀。与之相比较,电化学刻蚀存在刻蚀速度较快,能在短时间内实现深度刻蚀的优点,是一种设备廉价、工艺简单、高效且能在大气环境下进行纳米阵列结构制备的方法。本论文将激光干涉刻蚀技术与电化学刻蚀技术有机结合,研究激光干涉刻蚀后形成坑蚀对电化学刻蚀的影响。首先,研究了电流和温度对电化学刻蚀制备多孔InP的影响,发现温度一定时随着电流密度的增加多孔InP表面形貌并未有明显的变化而截面形貌则呈现有规律的变化,电流一定时随着温度的升高多孔InP截面形貌中念珠状多孔层会逐渐消失。明确了电化学刻蚀过程中电压随时间变化关系曲线能够直接反映多孔InP的截面形貌。接着,利用MATLAB软件模拟了四光束激光干涉形成的干涉图案,针对入射角度的改变,分析了干涉场内的光强分布。最后,搭建四光束干涉系统,利用1064nm激光干涉对n-InP(100)表面直写曝光,获得了比较规则的周期性点阵结构,特征尺寸约为7-8μm,在十涉刻蚀的基础上,进一步对该样品进行电化学阳极氧化刻蚀。实验结果表面,纳米级孔分布在半球状微米级孔的球面上,其截面的顶层呈现出弯曲光波导结构。可见,当诱导表面微结构的孔径特征尺寸较大时,对电化学刻蚀的诱导作用并不明显。如果进一步将激光干涉光刻表面微结构的特征尺寸降低到200-300nm,有望对电化学刻蚀InP形成诱导作用。